“這是剛剛生產(chǎn)的2寸和4寸氮化鎵外延片樣品，我們可提供業(yè)界高標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵外延片，現(xiàn)在正在試生產(chǎn)和產(chǎn)品認(rèn)證中，正式投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。”近日，在遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司產(chǎn)品展示大廳，生產(chǎn)中心副總廖家明向大家介紹。

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，對比硅材料優(yōu)勢很明顯，由氮化鎵制成的器件，功率是硅的900倍，禁帶寬帶比硅高出3倍左右，擊穿場強(qiáng)也高于硅11倍。此外，氮化鎵還有體積小、散熱快、傳輸速率高等優(yōu)點(diǎn)。百思特達(dá)是2019年興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進(jìn)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品，已進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

換上鞋套，沿走廊前行數(shù)十米便來到了MOCVD外延爐車間，在這里通過有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法，使制程氣體氨氣和有機(jī)金屬源——三甲基鎵產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成氮化鎵晶體，并將晶體堆疊到藍(lán)寶石底片上，制成氮化鎵外延片。廖家明說，氮化鎵外延片經(jīng)過加工，可制成大小不同的芯片，芯片封裝后，就能作為產(chǎn)品元器件廣泛應(yīng)用。目前，風(fēng)力發(fā)電、光電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域，這種氮化鎵芯片使用率很高，產(chǎn)品供不應(yīng)求，特別是5G基站建設(shè)，更需求大量這種高頻傳輸?shù)男酒?/span>

綜合管理部部長李婷表示，百思特達(dá)已經(jīng)建成并投產(chǎn)使用外延車間，芯片車間和封裝車間正在建設(shè)當(dāng)中。公司占地面積125畝，有足夠的空間引進(jìn)上下游企業(yè)，形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈。待公司正式投產(chǎn)運(yùn)營后，將進(jìn)一步對接引進(jìn)相關(guān)企業(yè)，形成上下游互通的產(chǎn)業(yè)布局。“未來，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司將成為中國東北地區(qū)規(guī)模最大全產(chǎn)業(yè)鏈的以氮化鎵芯片研發(fā)、生產(chǎn)為一體的高新技術(shù)企業(yè)，達(dá)產(chǎn)后，產(chǎn)品將遠(yuǎn)銷北美、歐洲、中東及東南亞，年產(chǎn)值4億元左右，解決就業(yè)200余人。”李婷說。（